各种元器件应力降额速查表
元器件种类
降额参数
降额等级
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
集成电路
模拟电路
放大器
子洲子洲子洲子洲子洲油浸式变压器电压
0.70
0.80
0.80
输入电压
0.60
0.70
0.70
输出电流
0.70
0.80
0.80
功率
0.70
0.75
0.80
更高结温（℃）
80
95
105
比较器
子洲子洲子洲子洲油浸式变压器电压
0.70
0.80
0.80
输入电压
0.70
0.80
0.80
输出电流
0.70
0.80
0.80
功率
0.70
0.75
0.80
更高结温（℃）
80
95
105
电压调整器
子洲子洲子洲油浸式变压器电压
0.70
0.80
0.80
输入电压
0.70
0.80
0.80
输出输入电压差
0.70
0.80
0.85
输出电流
0.70
0.75
0.80
功率
0.70
0.75
0.80
更高结温（℃）
80
95
105
模拟开关
子洲子洲油浸式变压器电压
0.70
0.80
0.85
输入电压
0.80
0.85
0.90
输出电流
0.75
0.80
0.85
功率
0.70
0.75
0.80
更高结温（℃）
80
95
105
数字电路
双极型 电路
频率
0.80
0.90
0.90
输出电流
0.80
0.90
0.90
更高结温（℃）
85
100
115
MOS型电路
子洲油浸式变压器电压
0.70
0.80
0.80
输出电流
0.80
0.90
0.90
功率
0.80
0.80
0.90
更高结温（℃）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
7.5
薄模集成电路（W/cm2）
6.5
更高结温（℃）
85
100
115
大规模集成电路
更高结温（℃）
在按照芯片设计要求考虑了散热方式以降低结温的前
提下，更高使用环境温度下，表面温度应不大于芯片结
温－30
DC/DC
功率
0.3~0.5
0.1~0.7
0.8
温度 ℃
更高使用温度－15
更高使用温度－10
更高使用温度
分离半导体器件
晶体管
方向
电压
一般晶体管
0.60
0.70
0.80
功率MOSFET的栅源电压
0.50
0.60
0.70
电流
0.60
0.70
0.80
功率
0.50
0.65
0.75
功率管安全工作区
集电极－发射极电压
0.70
0.80
0.90
集电极更大允许电流
0.60
0.70
0.80
更高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波晶体管
更高结温
同晶体管
二极管（基准管除外）
电压（不适用于管）
0.60
0.70
0.80
电流
0.50
0.65
0.80
功率
0.50
0.65
0.80
更高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波二极管
更高结温
同二极管
基准二极管
可控硅/半导体光电器件
电压
0.60
0.70
0.80
电流
0.50
0.65
0.80
更高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
固定电阻器
合成型电阻器
电压
0.75
0.75
0.75
功率
0.50
0.60
0.70
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
薄膜型电阻器
电压
0.75
0.75
0.75
功率
0.50
0.60
0.70
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
电阻网络
电压
0.75
0.75
0.75
功率
0.50
0.60
0.70
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
线绕电阻
电压
0.75
0.75
0.75
功率
精密型
0.25
0.45
0.60
功率型
0.50
0.60
0.70
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
电位器
非线绕电位器
电压
0.75
0.75
0.75
功率
合成、薄膜微调
0.30
0.45
0.60
精密塑料型
不采用
0.50
0.50
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
线绕电位器
电压
0.75
0.75
0.75
功率
普通型
0.30
0.45
0.50
非密封功率型
－
－
0.70
微调线绕型
0.30
0.45
0.50
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
热敏电阻器
功率
0.50
0.50
0.50
更高环境温度（℃）
TAM-15
TAM-15
TAM-15
电容器
固定玻璃釉型<
